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BSR58LT1G Specificazioni tecniche

JFET N-CH 40V 350MW SOT23

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - JFETs
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 800mV @ 1µA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Power - Max 350mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
FET Type N-Channel
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 8mA @ 15V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 40V
Resistance - RDS(On) 60 Ohm
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
Drain to Source Voltage (Vdss) -
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BSR58LT1G Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per BSR58LT1G

Altri includenu   "BSR58"   parti

I seguenti parti includenu  'BSR58' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
BSR58 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - JFETs 61436
BSR58 Fairchild/ON Semiconductor Transistors - JFETs 42206
BSR58 ON Semiconductor JFETs Transistors
BSR58 IC NXP Semiconductors / Freescale Specialized Hot ICs 15115
BSR58,215 NXP Semiconductors / Freescale Transistors - JFETs 2614
BSR58,215 NXP USA Inc. JFETs Transistors
BSR58LT1G ON Semiconductor JFETs Transistors

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