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DTA114TXV3T1G Specificazioni tecniche

TRANS PREBIAS PNP 200MW SC89-3

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 200mW
Package / Case SC-89, SOT-490
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package SC-89-3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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DTA114TXV3T1G Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per DTA114TXV3T1G

Altri includenu   "DTA11"   parti

I seguenti parti includenu  'DTA11' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
DTA1132KA ROHM Specialized Hot ICs 24000
DTA1135EKAT146 ROHM Specialized Hot ICs 3400
DTA113EET1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased 12000
DTA113EET1G ON Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors
DTA113EM3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased 2749
DTA113EM3T5G ON Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors
DTA113TKA T146 LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 11747
DTA113TKA T146 IC LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 11783
DTA113TKAT146 LAPIS Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased 2608
DTA113TKAT146 ROHM Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors

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