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EFC8811R-TF Specificazioni tecniche

MOSFET 2N-CH 6CSP

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Drain to Source Voltage (Vdss) -
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 6-CSP (1.77x3.54)
Power - Max 2.5W
Package / Case 6-SMD, No Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
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EFC8811R-TF Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per EFC8811R-TF

Altri includenu   "EFC88"   parti

I seguenti parti includenu  'EFC88' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
EFC8811R-TF ON Semiconductor MOSFETs Transistors Arrays
EFC8822R-TF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 24639
EFC8822R-TF Rochester Electronics, LLC MOSFETs Transistors Arrays
EFC8822R-TF ON Semiconductor MOSFETs Transistors Arrays
EFC8822R-X-TF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2744
EFC8822R-X-TF ON Semiconductor MOSFETs Transistors Arrays

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