FDD8N50NZTM Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 500V 6.5A DPAK

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series UniFET-II™
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Tc)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 3.25A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FDD8N50NZTM-ND FDD8N50NZTMTR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 6 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 735pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 500V 6.5A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount DPAK
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FDD8N50NZ FSC Specialized Hot ICs 1341
FDD8N50NZTM Fairchild/ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Single 15809
FDD8N50NZTM ON Semiconductor Single MOSFETs Transistors

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