FDG6306P Specificazioni tecniche

MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Series PowerTrench®
Power - Max 300mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 600mA 300mW Surface Mount SC-70-6
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SC-70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 600mA, 4.5V
Packaging Original-Reel®
Other Names FDG6306PDKR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 42 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 114pF @ 10V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 600mA
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FDG6306P Ducumenti

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Altri includenu   "FDG63"   parti

I seguenti parti includenu  'FDG63' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
FDG6301 120K Specialized Hot ICs 54764
FDG6301G FAIRCHI Specialized Hot ICs 2672
FDG6301N AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 167678
FDG6301N Fairchild/ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2336
FDG6301N ON Semiconductor MOSFETs Transistors Arrays
FDG6301N IC Fairchild/ON Semiconductor Specialized Hot ICs 9413
FDG6301N MOS Fairchild/ON Semiconductor Specialized Hot ICs 1751
FDG6301N-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 50319
FDG6301N-F085 ON Semiconductor MOSFETs Transistors Arrays
FDG6301N-F085P AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2690

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