FQB13N10TM Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 65W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.8A (Tc)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 6.4A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 100V 12.8A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
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FQB13N10TM Ducumenti

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Altri includenu   "FQB13"   parti

I seguenti parti includenu  'FQB13' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
FQB13N06 MOS Fairchild/ON Semiconductor Specialized Hot ICs 6838
FQB13N06L F Specialized Hot ICs 15397
FQB13N06LTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2707
FQB13N06LTM Fairchild/ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2549
FQB13N06TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2746
FQB13N06TM Fairchild/ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2775
FQB13N10 VB Specialized Hot ICs 34226
FQB13N10L FAIRCHI Specialized Hot ICs 10235
FQB13N10L MOS VBSEMI Specialized Hot ICs 5507
FQB13N10LTM Fairchild/ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2657

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