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HGTP10N120BN Specificazioni tecniche

IGBT 1200V 35A 298W TO220AB

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - IGBTs - Single
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 320µJ (on), 800µJ (off)
Power - Max 298W
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 100nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 80A
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Td (on/off) @ 25°C 23ns/165ns
Supplier Device Package TO-220AB
Packaging Tube
Other Names HGTP10N120BN-ND HGTP10N120BNFS
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type NPT
Detailed Description IGBT NPT 1200V 35A 298W Through Hole TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max) 35A
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HGTP10N120BN Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per HGTP10N120BN

Altri includenu   "HGTP1"   parti

I seguenti parti includenu  'HGTP1' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
HGTP10N120BN Fairchild/ON Semiconductor Transistors - IGBTs - Single 2452
HGTP10N120BN ON Semiconductor Single IGBTs
HGTP10N40C1 FSC Specialized Hot ICs 12388
HGTP10N40E1D Intersil Specialized Hot ICs 20000
HGTP10N40F1D FSC Specialized Hot ICs 32388
HGTP10N50C1 Intersil Specialized Hot ICs 20000
HGTP10N50C1D FSC Specialized Hot ICs 7
HGTP11N120CN FSC Specialized Hot ICs 12840
HGTP11N120CND FSC Specialized Hot ICs 12826
HGTP12N60A4 Fairchild/ON Semiconductor Transistors - IGBTs - Single 12722

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