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J111RL1G Specificazioni tecniche

JFET N-CH 35V 0.35W TO92

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - JFETs
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 3V @ 1µA
Supplier Device Package TO-92-3
Power - Max 350mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Mounting Type Through Hole
FET Type N-Channel
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 20mA @ 15V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 35V
Resistance - RDS(On) 30 Ohm
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
Drain to Source Voltage (Vdss) -
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J111RL1G Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per J111RL1G

Altri includenu   "J111R"   parti

I seguenti parti includenu  'J111R' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
J111RL1G ON Semiconductor JFETs Transistors
J111RL1G Rochester Electronics, LLC JFETs Transistors
J111RLRAG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - JFETs 5496
J111RLRAG ON Semiconductor JFETs Transistors
J111RLRAG Rochester Electronics, LLC JFETs Transistors
J111RLRPG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - JFETs 2502
J111RLRPG ON Semiconductor JFETs Transistors
J111RLRPG Rochester Electronics, LLC JFETs Transistors

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