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MMJT350T1 Specificazioni tecniche

TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V
Transistor Type PNP
Power - Max 2.75W
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic -
Supplier Device Package SOT-223
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Altri includenu   "MMJT3"   parti

I seguenti parti includenu  'MMJT3' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
MMJT350T1 ON Semiconductor Single BJT Transistors
MMJT350T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Single 4706
MMJT350T1G ON Semiconductor Single BJT Transistors
MMJT350T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Specialized Hot ICs 1314

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