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NGTB30N120FL2WG Specificazioni tecniche
IGBT 1200V 60A 452W TO247
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - IGBTs - Single |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Test Condition | 600V, 30A, 10 Ohm, 15V |
Switching Energy | 2.6mJ (on), 700µJ (off) |
Reverse Recovery Time (trr) | 240ns |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 220nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 30A |
Td (on/off) @ 25°C | 98ns/210ns |
Supplier Device Package | TO-247 |
Power - Max | 452W |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
NGTB30N120FL2WG Ducumenti
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-
Datasheets
NGTB30N120FL2WG.pdf
Altri includenu "NGTB3" parti
I seguenti parti includenu 'NGTB3'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
NGTB30N120FL2WG | ON Semiconductor | Single IGBTs | |
NGTB30N120IHLWG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - IGBTs - Single | 2619 |
NGTB30N120IHLWG | ON Semiconductor | Single IGBTs | |
NGTB30N120IHLWG | Rochester Electronics, LLC | Single IGBTs | |
NGTB30N120IHRWG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - IGBTs - Single | 2526 |
NGTB30N120IHRWG | ON Semiconductor | Single IGBTs | |
NGTB30N120IHRWG | Rochester Electronics, LLC | Single IGBTs | |
NGTB30N120IHSWG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - IGBTs - Single | 2773 |
NGTB30N120IHSWG | ON Semiconductor | Single IGBTs | |
NGTB30N120IHSWG | Rochester Electronics, LLC | Single IGBTs |
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