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NSBC115EPDXV6T1G
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NSBC115EPDXV6T1G Specificazioni tecniche
SS SOT563 RSTR XSTR TR
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Frequency - Transition | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Supplier Device Package | SOT-563 |
Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
Power - Max | 357mW |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 52 Weeks |
Detailed Description | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 357mW Surface Mount SOT-563 |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
NSBC115EPDXV6T1G Ducumenti
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Datasheets
NSBC115EPDXV6T1G.pdf
Altri includenu "NSBC1" parti
I seguenti parti includenu 'NSBC1'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
NSBC113EDXV6T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased | 2623 |
NSBC113EDXV6T1 | ON Semiconductor | BJT Transistors Arrays | |
NSBC113EDXV6T1 | Rochester Electronics, LLC | BJT Transistors Arrays | |
NSBC113EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased | 2611 |
NSBC113EDXV6T1G | ON Semiconductor | BJT Transistors Arrays | |
NSBC113EDXV6T5 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased | 2510 |
NSBC113EDXV6T5 | ON Semiconductor | BJT Transistors Arrays | |
NSBC113EF3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased | 2570 |
NSBC113EF3T5G | ON Semiconductor | Pre-Biased BJT Transistors | |
NSBC113EPDXV6T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased | 2569 |
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NSBC115EPDXV6T1G i pruduttori di marca: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip stock, NSBC115EPDXV6T1G prezzu di riferimentu. NSBC115EPDXV6T1G paràmetri, NSBC115EPDXV6T1G Scaricate a scheda di dati PDF è a descrizzione di pin diagram.Pudete aduprà NSBC115EPDXV6T1G Connettori Pluggable, DSP Datasheet PDF, truvà NSBC115EPDXV6T1G diagramma di pin è schema di circuitu è u metudu di usu di a funzione, NSBC115EPDXV6T1G tutoriali elettronichi.Pudete scaricà da u Bonchip.
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