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NSS60600MZ4T3G
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NSS60600MZ4T3G Specificazioni tecniche
TRANS PNP 60V 6A SOT-223
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 800mW |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 6A |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 600mA, 6A |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 100MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
NSS60600MZ4T3G Ducumenti
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Datasheets
NSS60600MZ4T3G.pdf
Altri includenu "NSS60" parti
I seguenti parti includenu 'NSS60'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
NSS60100DMTTBG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays | 1408 |
NSS60100DMTTBG | ON Semiconductor | Arrays BJT Transistors | |
NSS60101DMTTBG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays | 2796 |
NSS60101DMTTBG | ON Semiconductor | Arrays BJT Transistors | |
NSS60200DMTTBG | ON Semiconductor | Arrays BJT Transistors | |
NSS60200LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Single | 23016 |
NSS60200LT1G | ON Semiconductor | Single BJT Transistors | |
NSS60201LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Single | 5729 |
NSS60201LT1G | ON Semiconductor | Single BJT Transistors | |
NSS60600MZ4T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Single | 5468 |
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