NSVMUN5131T1G Specificazioni tecniche

TRANS PREBIAS PNP 0.202W SC70

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 2.2k
Power - Max 202mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Supplier Device Package SC-70-3 (SOT323)
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
NSVMUN2112T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased 2673
NSVMUN2112T1G ON Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors
NSVMUN2212T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased 3242
NSVMUN2212T1G ON Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors
NSVMUN2233T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased 2772
NSVMUN2233T1G ON Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors
NSVMUN2236T1G ON Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors
NSVMUN2237T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased 18227
NSVMUN2237T1G ON Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors
NSVMUN5111DW1T3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased 443211

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