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SMUN5315DW1T1G Specificazioni tecniche

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 187mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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SMUN5315DW1T1G Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per SMUN5315DW1T1G

Altri includenu   "SMUN5"   parti

I seguenti parti includenu  'SMUN5' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SMUN5111DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays 2528
SMUN5111DW1T1G ON Semiconductor Arrays BJT Transistors
SMUN5111DW1T1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Specialized Hot ICs 3218
SMUN5111T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased 7106
SMUN5111T1G ON Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors
SMUN5112DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased 3325
SMUN5112DW1T1G ON Semiconductor BJT Transistors Arrays
SMUN5112T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased 2526
SMUN5112T1G ON Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors
SMUN5113DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased 2640

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