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SVD5865NLT4G Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 19A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta), 46A (Tc)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package DPAK
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 71W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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SVD5865NLT4G Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per SVD5865NLT4G

Altri includenu   "SVD58"   parti

I seguenti parti includenu  'SVD58' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SVD5803NT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2551
SVD5804NT4G ON Specialized Hot ICs 5327
SVD5806NT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2734
SVD5867NLT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2404
SVD5867NLT4G ON Semiconductor Single MOSFETs Transistors

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