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CYD18S18V18-200BBAXC Specificazioni tecniche

IC SRAM 18MBIT 200MHZ 256FBGA

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Integrated Circuits (ICs) / Memory
Manufacturer Cypress Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Supply 1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
Speed 200MHz
Package / Case 256-LBGA
Memory Type Volatile
Memory Format SRAM
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 256-FBGA (17x17)
Packaging Tray
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Size 18Mb (1M x 18)
Interface Parallel
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CYD18S18V18-200BBAXC Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per CYD18S18V18-200BBAXC

Altri includenu   "CYD18"   parti

I seguenti parti includenu  'CYD18' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
CYD18S18V18-167BBAXI Cypress Semiconductor Memory 2607
CYD18S18V18-167BBAXI Cypress Semiconductor Corp Memory
CYD18S18V18-200BBAXC Cypress Semiconductor Corp Memory
CYD18S18V18-200BBAXI Cypress Semiconductor Memory 2647
CYD18S18V18-200BBAXI Cypress Semiconductor Corp Memory
CYD18S36V18-167BBAI Cypress Semiconductor Memory 2480
CYD18S36V18-200BBAXI Cypress Semiconductor Memory 2696
CYD18S36V18-200BBAXI Cypress Semiconductor Corp Memory
CYD18S36V25-167BBC CYPRESS Specialized Hot ICs 683
CYD18S72V-100BBC Cypress Semiconductor Memory 2713

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