S34SL04G200BHI003 Specificazioni tecniche

IC FLASH 4G PARALLEL

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Integrated Circuits (ICs) / Memory
Manufacturer Cypress Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology FLASH - NAND
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type Non-Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Access Time 25ns
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 2.7 V ~ 3.6 V
Series SL-2
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 4Gb (512M x 8)
Memory Format FLASH
Detailed Description FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns
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  • Datasheets

Altri includenu   "S34SL"   parti

I seguenti parti includenu  'S34SL' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
S34SL01G200BHI000 Cypress Semiconductor Memory 0
S34SL01G200BHI003 Cypress Semiconductor Memory 2796
S34SL01G200BHV000 Cypress Semiconductor Memory 2794
S34SL01G200BHV003 Cypress Semiconductor Memory 2627
S34SL02G200BHI00 Spansion (Cypress Semiconductor) Specialized Hot ICs 26183
S34SL02G200BHI000 Cypress Semiconductor Memory 12488
S34SL02G200BHI003 Cypress Semiconductor Memory 0
S34SL02G200BHV000 Cypress Semiconductor Memory 0
S34SL02G200BHV003 Cypress Semiconductor Memory 2514
S34SL04G200BHI000 Cypress Semiconductor Memory 0

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