IRF830SPBF Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRF830SPBF
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 11 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 500V 4.5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount D2PAK
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
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Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
IRF830 STMicroelectronics Transistors - FETs, MOSFETs - Single 25373
IRF830 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 25384
IRF830 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2499
IRF830 IC IR Specialized Hot ICs 949
IRF830 MOS IR Specialized Hot ICs 571
IRF830-HF MOS APEC Specialized Hot ICs 88722
IRF8301MTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistors - FETs, MOSFETs - Single 5000
IRF8301MTRPBF Infineon Technologies Single MOSFETs Transistors
IRF8302MTR1PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2766
IRF8302MTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistors - FETs, MOSFETs - Single 56198

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