SI1426DH-T1-GE3 Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A (Ta)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SC-70-6 (SOT-363)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 3.6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI1426DH-T1-GE3TR SI1426DHT1GE3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 2.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
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Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SI1422DH-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 1878
SI1422DH-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 15640
SI1422DH-T1-GE3 Vishay Siliconix Single MOSFETs Transistors
Si1424EDH Vishay Specialized Hot ICs 27100
SI1424EDH-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 21464
SI1424EDH-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 21464
SI1426DH-T1-E2 Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 2864
SI1426DH-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 18531
SI1426DH-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 58019
SI1426DH-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 34795

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