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SI2351DS-T1-GE3 Specificazioni tecniche

MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1W (Ta), 2.1W (Tc)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 20V 2.8A (Tc) 1W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SI2351DS-T1-GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.1nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A (Tc)
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SI2351DS-T1-GE3 Ducumenti

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Altri includenu   "SI235"   parti

I seguenti parti includenu  'SI235' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SI2350DS VISHAY Specialized Hot ICs 2521
SI2351DS Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 20
SI2351DS-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 89083
SI2351DS-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 35739
SI2351DS-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 3436
SI2351DS-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 29165
SI2356 Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 692
SI2356DS Vishay Precision Group Specialized ICs 5266
SI2356DS-T1-E3 VISHAY Specialized Hot ICs 3283
SI2356DS-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 300418

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