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SI6469DQ-T1-E3 Specificazioni tecniche

MOSFET P-CH 8V 8TSSOP

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Package / Case 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 8V 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 6A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
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SI6469DQ-T1-E3 Ducumenti

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Altri includenu   "SI646"   parti

I seguenti parti includenu  'SI646' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SI6463ADQ-T1 SIL Specialized Hot ICs 2626
SI6463BDQ V Specialized Hot ICs 10354
SI6463BDQ-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 12412
SI6463BDQ-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 10803
SI6463BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix Single MOSFETs Transistors
SI6463BDQ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 1892
SI6463BDQ-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 4493
SI6463BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix Single MOSFETs Transistors
SI6463BDQ. VIS Specialized Hot ICs 2641
SI6463DQ SI Specialized Hot ICs 3611

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