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SI7860ADP-T1-GE3 Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 11A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 16A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
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SI7860ADP-T1-GE3 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per SI7860ADP-T1-GE3

Altri includenu   "SI786"   parti

I seguenti parti includenu  'SI786' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SI7860ADP SI Specialized Hot ICs 836
SI7860ADP-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 5586
SI7860ADP-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2453
SI7860ADP-T1-E3 QFN8 VISHAY Specialized Hot ICs 3208
SI7860ADP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 8652
SI7860ADP-TI-E3 VISHAY Specialized Hot ICs 1984
SI7860DP VISHAY Specialized Hot ICs 1104
SI7860DP-T1 VISHAY Specialized Hot ICs 770
SI7860DP-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 155025
SI7860DP-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 1602

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