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SIHG20N50C-E3 Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 500V 20A TO247

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tube
Other Names SIHG20N50CE3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 76nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-247AC
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2942pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 500V 20A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
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SIHG20N50C-E3 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per SIHG20N50C-E3

Altri includenu   "SIHG2"   parti

I seguenti parti includenu  'SIHG2' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SIHG20N50C VISHYA Specialized Hot ICs 3285
SIHG20N50C-E3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 111891
SIHG20N50C-E3 Vishay Siliconix Single MOSFETs Transistors
SIHG20N50C-E3 MOS Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 4403
SIHG20N50E-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2784
SIHG20N50E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2613
SIHG20N50E-GE3 Vishay Siliconix Single MOSFETs Transistors
SIHG20N50G IR Specialized Hot ICs 17
SIHG21N60EF-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2600
SIHG21N60EF-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2607

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