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SIHP33N60EF-GE3 Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 600V 33A TO-220-3

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 98 mOhm @ 16.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3454pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 278W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc)
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SIHP33N60EF-GE3 Ducumenti

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Altri includenu   "SIHP3"   parti

I seguenti parti includenu  'SIHP3' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SIHP30N60AEL-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2598
SiHP30N60E Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 17
SIHP30N60E-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 5144
SIHP30N60E-E3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 386
SIHP30N60E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 7169
SIHP30N60E-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 7169
SIHP33N60E VISYA Specialized Hot ICs 13430
SIHP33N60E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 7885
SIHP33N60E-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 7885
SIHP33N60E-GE3 Vishay Siliconix Single MOSFETs Transistors

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