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SISH106DN-T1-GE3 Specificazioni tecniche

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Package / Case PowerPAK® 1212-8SH
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Detailed Description N-Channel 20V 12.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8SH
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SISH106DN-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 42 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.5A (Ta)
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SISH106DN-T1-GE3 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per SISH106DN-T1-GE3

Altri includenu   "SISH1"   parti

I seguenti parti includenu  'SISH1' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SISH112DN-T1-GE3 Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 9296
SISH129DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2694

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