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SQD100N03-3M2L_GE3 Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 136W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 116nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6316pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 100A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
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SQD100N03-3M2L_GE3 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per SQD100N03-3M2L_GE3

Altri includenu   "SQD10"   parti

I seguenti parti includenu  'SQD10' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SQD100A6 SANREX IGBT Modules 2723
SQD100A60 SANREX IGBT Modules 2671
SQD100A60S SANREX IGBT Modules 2546
SQD100M60 SANREX IGBT Modules 2633
SQD100N02-3m5L Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 10422
SQD100N02-3M5L_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2545
SQD100N03-3M2L V Specialized Hot ICs 10449
SQD100N03-3m2L-GE3 VISHAY Specialized Hot ICs 6500
SQD100N03-3m4 VISHAY Specialized Hot ICs 10247
SQD100N03-3M4_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2523

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