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SQR40N10-25_GE3 Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 100V 40A TO263

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 136W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3380pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 40A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 40A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SQR40N10-25-GE3 SQR40N10-25-GE3-ND
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
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SQR40N10-25_GE3 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per SQR40N10-25_GE3

Altri includenu   "SQR40"   parti

I seguenti parti includenu  'SQR40' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SQR40030ER_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2754
SQR40N10-25 Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 10292
SQR40N10-25-GE3 VB Specialized Hot ICs 3000
SQR40N10-25_GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2643

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