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4N29TM Specificazioni tecniche
OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Isolators / Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Output (Max) | 30V |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Turn On / Turn Off Time (Typ) | 5µs, 40µs (Max) |
Rise / Fall Time (Typ) | - |
Package / Case | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Operating Temperature | -40°C ~ 100°C |
Mounting Type | Through Hole |
Current Transfer Ratio (Min) | 100% @ 10mA |
Current - Output / Channel | 150mA |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Isolation | 4170Vrms |
Vce Saturation (Max) | 1V |
Supplier Device Package | 6-DIP |
Packaging | Tube |
Output Type | Darlington with Base |
Number of Channels | 1 |
Input Type | DC |
Current Transfer Ratio (Max) | - |
Current - DC Forward (If) (Max) | 80mA |
4N29TM Ducumenti
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-
Datasheets
4N29TM.pdf
Altri includenu "4N29T" parti
I seguenti parti includenu '4N29T'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
4N29TM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output | 2578 |
4N29TM | ON Semiconductor | Photovoltaic Optoisolators | |
4N29TVM | Fairchild/ON Semiconductor | Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output | 2627 |
4N29TVM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output | 2573 |
4N29TVM | ON Semiconductor | Photovoltaic Optoisolators |
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