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FQB9N25TM Specificazioni tecniche
MOSFET N-CH 250V 9.4A D2PAK
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 4.7A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 90W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Tc) |
FQB9N25TM Ducumenti
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-
Datasheets
FQB9N25TM.pdf
Altri includenu "FQB9N" parti
I seguenti parti includenu 'FQB9N'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
FQB9N08 | Fairchild/ON Semiconductor | Specialized Hot ICs | 8548 |
FQB9N08L | VB | Specialized Hot ICs | 5000 |
FQB9N08LTM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 1218 |
FQB9N08LTM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 1866 |
FQB9N08LTM MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Specialized Hot ICs | 1243 |
FQB9N08TM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2756 |
FQB9N08TM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2695 |
FQB9N15 | VISH | Specialized Hot ICs | 8365 |
FQB9N15TM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2545 |
FQB9N15TM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2589 |
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BB-856-14224
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