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FQD12N20TM Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 4.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 910pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
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FQD12N20TM Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per FQD12N20TM

Altri includenu   "FQD12"   parti

I seguenti parti includenu  'FQD12' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
FQD1216ME/I H-5 NXP Specialized Hot ICs 2603
FQD12N10 F Specialized Hot ICs 10490
FQD12N10 MOS Fairchild/ON Semiconductor Specialized Hot ICs 16136
FQD12N10L Specialized Hot ICs 999432
FQD12N20 F Specialized Hot ICs 26045
FQD12N20L Fairchi Specialized Hot ICs 10419
FQD12N20LTF Fairchild/ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Single 416
FQD12N20LTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Single 5416
FQD12N20LTM Fairchild/ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Single 28954
FQD12N20LTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Single 56568

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