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HGTG5N120BND Specificazioni tecniche

IGBT 1200V 21A 167W TO247

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - IGBTs - Single
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 960V, 5A, 25 Ohm, 15V
Switching Energy 450µJ (on), 390µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 65ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 53nC
Current - Collector (Ic) (Max) 21A
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 5A
Td (on/off) @ 25°C 22ns/160ns
Supplier Device Package TO-247
Power - Max 167W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 40A
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HGTG5N120BND Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per HGTG5N120BND

Altri includenu   "HGTG5"   parti

I seguenti parti includenu  'HGTG5' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
HGTG5N120BND AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - IGBTs - Single 9503
HGTG5N120BND ON Semiconductor Single IGBTs
HGTG5N120BND IGBT AMI Semiconductor / ON Semiconductor Specialized Hot ICs 459
HGTG5N120CND FAIRCHILD Specialized Hot ICs 2645

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