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KST55MTF Specificazioni tecniche
TRANS PNP 60V 0.5A SOT-23
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 350mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 100mA, 1V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | - |
Frequency - Transition | 50MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
KST55MTF Ducumenti
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-
Datasheets
1.KST55MTF.pdf 2.KST55MTF.pdf
Altri includenu "KST55" parti
I seguenti parti includenu 'KST55'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
KST55 | SAMSUNG | Specialized Hot ICs | 3000 |
KST55-MTF | FSC | Specialized Hot ICs | 18465 |
KST5550MTF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Single | 481 |
KST5550MTF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Single | 18200 |
KST5550MTF | ON Semiconductor | Single BJT Transistors | |
KST5550MTF | Rochester Electronics, LLC | Single BJT Transistors | |
KST5551 | FAIRCHI | Specialized Hot ICs | 2764 |
KST5551-MTF | SAMSUNG | Specialized Hot ICs | 6000 |
KST5551MTF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Single | 12444 |
KST5551MTF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Single | 3333 |
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