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MBR200100CTR Specificazioni tecniche

DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Diodes - Rectifiers - Arrays
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 840mV @ 100A
Supplier Device Package Twin Tower
Packaging Bulk
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 200A (DC)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case Twin Tower
Diode Type Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr 5mA @ 20V
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MBR200100CTR Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per MBR200100CTR

Altri includenu   "MBR20"   parti

I seguenti parti includenu  'MBR20' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
MBR200100 MOTOROLA IGBT Modules 2797
MBR200100CT GeneSiC Semiconductor Diodes - Rectifiers - Arrays 2727
MBR200100CTS GeneSiC Semiconductor Diodes - Rectifiers - Arrays 2518
MBR200100R MOTOROLA IGBT Modules 2689
MBR20010CT MOTOROLA IGBT Modules 2600
MBR200150CT GeneSiC Semiconductor Diodes - Rectifiers - Arrays 2682
MBR200150CTR GeneSiC Semiconductor Diodes - Rectifiers - Arrays 2730
MBR20015CTL MOTOROLA IGBT Modules 2844
MBR20020 MOTOROLA IGBT Modules 3000
MBR200200CT GeneSiC Semiconductor Diodes - Rectifiers - Arrays 2761

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