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MUR20010CT Specificazioni tecniche

DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Diodes - Rectifiers - Arrays
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 100A
Supplier Device Package Twin Tower
Reverse Recovery Time (trr) 75ns
Package / Case Twin Tower
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 200A (DC)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr 25µA @ 50V
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MUR20010CT Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per MUR20010CT

Altri includenu   "MUR20"   parti

I seguenti parti includenu  'MUR20' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
MUR20005CT GeneSiC Semiconductor Diodes - Rectifiers - Arrays 2747
MUR20005CTR GeneSiC Semiconductor Diodes - Rectifiers - Arrays 2581
MUR20010 MOTOROLA IGBT Modules 2840
MUR20010CTR GeneSiC Semiconductor Diodes - Rectifiers - Arrays 2522
MUR20020 MOTOROLA IGBT Modules 2964
MUR20020CT GeneSiC Semiconductor Diodes - Rectifiers - Arrays 2952
MUR20020CTL MOTOROLA IGBT Modules 2748
MUR20020CTR GeneSiC Semiconductor Diodes - Rectifiers - Arrays 2870
MUR20030CT MOTOROLA IGBT Modules 2793
MUR20040 IGBT Module IGBT Modules 2956

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