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IXFH110N10P Specificazioni tecniche
MOSFET N-CH 100V 110A TO-247
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Supplier Device Package | TO-247AD (IXFH) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3550pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PolarHT™ HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | 480W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
IXFH110N10P Ducumenti
Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per IXFH110N10P
-
Datasheets
IXFH110N10P.pdf
Altri includenu "IXFH1" parti
I seguenti parti includenu 'IXFH1'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
IXFH100N25P | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2218 |
IXFH100N30X3 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2708 |
IXFH102N15T | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 5607 |
IXFH10N100 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2782 |
IXFH10N100P | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 5653 |
IXFH10N100Q | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2668 |
IXFH10N60 | IXYS Corporation | Specialized Hot ICs | 2895 |
IXFH10N65 | IXYS Corporation | Specialized Hot ICs | 2993 |
IXFH10N80P | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2643 |
IXFH10N80P | IXYS | Single MOSFETs Transistors |
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