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IXFH22N50P Specificazioni tecniche
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™, PolarHT™ |
Power Dissipation (Max) | 350W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-247AD (IXFH) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 11A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2630pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Tc) |
IXFH22N50P Ducumenti
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-
Datasheets
IXFH22N50P.pdf
Altri includenu "IXFH2" parti
I seguenti parti includenu 'IXFH2'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
IXFH20N100P | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 5540 |
IXFH20N100P | IXYS | Single MOSFETs Transistors | |
IXFH20N50P3 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2523 |
IXFH20N60 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2963 |
IXFH20N60Q | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 1254 |
IXFH20N80 | IXYS Corporation | Specialized Hot ICs | 95 |
IXFH20N80P | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2279 |
IXFH20N80Q | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 1435 |
IXFH20N80Q | IXYS | Single MOSFETs Transistors | |
IXFH20N85X | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 600 |
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