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IXFN200N10P Specificazioni tecniche
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7600pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | Polar™ |
Power Dissipation (Max) | 680W (Tc) |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Mounting Type | Chassis Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 235nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A |
IXFN200N10P Ducumenti
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-
Datasheets
IXFN200N10P.pdf
Altri includenu "IXFN2" parti
I seguenti parti includenu 'IXFN2'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
IXFN200N06 | IXYS | IGBT Modules | 2706 |
IXFN200N07 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2857 |
IXFN200N10L2 | IXYS Corporation | Specialized Hot ICs | 2868 |
IXFN20N120 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2889 |
IXFN20N120P | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2929 |
IXFN20N120P | IXYS | Single MOSFETs Transistors | |
IXFN20N50 | IXYS Corporation | Specialized Hot ICs | 2979 |
IXFN210N20P | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2774 |
IXFN210N30P3 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2720 |
IXFN210N30X3 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2717 |
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