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IXFN360N10T Specificazioni tecniche
MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | 830W (Tc) |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Mounting Type | Chassis Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 505nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 180A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 36000pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 360A |
IXFN360N10T Ducumenti
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-
Datasheets
IXFN360N10T.pdf
Altri includenu "IXFN3" parti
I seguenti parti includenu 'IXFN3'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
IXFN300N10P | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2939 |
IXFN300N20X3 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2756 |
IXFN30N110 | IXYS | IGBT Modules | 2508 |
IXFN30N110P | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2761 |
IXFN30N120 | IXYS | IGBT Modules | 2605 |
IXFN30N120P | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2889 |
IXFN30N120Q3 | IXYS | IGBT Modules | 2720 |
IXFN30N50 | IXYS | IGBT Modules | 2862 |
IXFN320N17T2 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2942 |
IXFN320N60DA3 | IXYS Corporation | Specialized Hot ICs | 2828 |
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