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IXFT12N100F Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 1KV 12A TO268

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerRF™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-268 (IXFT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05 Ohm @ 6A, 10V
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 77nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
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IXFT12N100F Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per IXFT12N100F

Altri includenu   "IXFT1"   parti

I seguenti parti includenu  'IXFT1' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
IXFT100N30X3HV IXYS Corporation Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2571
IXFT10N100 IXYS Corporation Transistors - FETs, MOSFETs - Single 32365
IXFT120N15P IXYS Corporation Transistors - FETs, MOSFETs - Single 52363
IXFT120N25X3HV IXYS Corporation Transistors - FETs, MOSFETs - Single 90
IXFT120N30X3HV IXYS Corporation Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2608
IXFT12N100 IXYS Corporation Transistors - FETs, MOSFETs - Single 32365
IXFT12N100F IXYS RF Transistors - FETs, MOSFETs - Single 32363
IXFT12N100Q IXYS Corporation Transistors - FETs, MOSFETs - Single 32429
IXFT12N50F IXYS Specialized Hot ICs 5865
IXFT12N90Q IXYS Corporation Transistors - FETs, MOSFETs - Single 32365

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