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IXTA2N100 Specificazioni tecniche
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-263 (IXTA) |
Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 Ohm @ 1A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 825pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
IXTA2N100 Ducumenti
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-
Datasheets
IXTA2N100.pdf
Altri includenu "IXTA2" parti
I seguenti parti includenu 'IXTA2'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
IXTA200N055 | IXYS | Specialized Hot ICs | 1482 |
IXTA200N055T2 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 634 |
IXTA200N075T | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 32363 |
IXTA200N075T7 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2704 |
IXTA200N085T | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2747 |
IXTA200N085T7 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 32363 |
IXTA20N65X | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2679 |
IXTA220N04 | IXYS | Specialized Hot ICs | 1480 |
IXTA220N04T2 | IXYS Corporation | Specialized Hot ICs | 32392 |
IXTA220N04T2-7 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 32363 |
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