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IXTK82N25P Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 250V 82A TO-264

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-264 (IXTK)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 41A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarHT™
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 142nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 82A (Tc)
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IXTK82N25P Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per IXTK82N25P

Altri includenu   "IXTK8"   parti

I seguenti parti includenu  'IXTK8' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
IXTK80N25 IXYS Corporation Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2999
IXTK80N25P IXYS Corporation Specialized Hot ICs 503
IXTK82N25 IXYS Corporation Specialized Hot ICs 2703
IXTK88N30P IXYS Corporation Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2690
IXTK88N30P IXYS Single MOSFETs Transistors
IXTK8N150L IXYS Corporation Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2628

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