IXTV110N25TS Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package PLUS-220SMD
Power Dissipation (Max) 694W (Tc)
Package / Case PLUS-220SMD
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 157nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 55A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
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Altri includenu   "IXTV1"   parti

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Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
IXTV102N20T IXYS Corporation Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2775
IXTV102N25T IXYS Corporation Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2770
IXTV120N15T IXYS Corporation Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2548
IXTV130N15T IXYS Corporation Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2634
IXTV18N60P IXYS Corporation Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2515
IXTV18N60PS IXYS Corporation Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2264

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