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IGP01N120H2XKSA1
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IGP01N120H2XKSA1 Specificazioni tecniche
IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductors / Single IGBTs |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Position | SINGLE |
Reach Compliance Code | compliant |
Pin Count | 3 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE |
Input Type | Standard |
Transistor Application | SWITCHING |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Current - Collector (Ic) (Max) | 3.2A |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 1A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 3.5A |
Switching Energy | 140μJ |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2007 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
Number of Elements | 1 |
Case Connection | COLLECTOR |
Power - Max | 28W |
Polarity/Channel Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Test Condition | 800V, 1A, 241 Ω, 15V |
Gate Charge | 8.6nC |
Td (on/off) @ 25°C | 13ns/370ns |
RoHS Status | RoHS Compliant |
IGP01N120H2XKSA1 Ducumenti
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Datasheets
Altri includenu "IGP01" parti
I seguenti parti includenu 'IGP01'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
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IGP01N120H2 | infineon | Specialized Hot ICs | 5555 |
IGP01N120H2XKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - IGBTs - Single | 2511 |
IGP01N120H2XKSA1 | Rochester Electronics, LLC | Single IGBTs |
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