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IPP110N20NAAKSA1 Specificazioni tecniche

Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductors / Single MOSFETs Transistors
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 300W Tc
Power Dissipation 300W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.7m Ω @ 88A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 88A Tc
Rise Time 26ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 41 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Max Dual Supply Voltage 200V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series OptimWatt™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 18 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 270μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7100pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 11 ns
Continuous Drain Current (ID) 88A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 560 mJ
Lead Free Contains Lead
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IPP110N20NAAKSA1 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per IPP110N20NAAKSA1

  • Datasheets

Altri includenu   "IPP11"   parti

I seguenti parti includenu  'IPP11' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
IPP110N06L G INFINEON Specialized Hot ICs 29151
IPP110N06LG INF Specialized Hot ICs 517
IPP110N20N INFINEON Specialized Hot ICs 632
IPP110N20N3 International Rectifier (Infineon Technologies) Specialized Hot ICs 5323
IPP110N20N3 G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistors - FETs, MOSFETs - Single 697
IPP110N20N3G INFINEON Specialized Hot ICs 5413
IPP110N20N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) Specialized Hot ICs 5317
IPP110N20N3G-ND International Rectifier (Infineon Technologies) Specialized Hot ICs 499
IPP110N20N3GXKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2654
IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies Single MOSFETs Transistors

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