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IRG4CC50WB
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IRG4CC50WB Specificazioni tecniche
IGBT CHIP
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductors / Single IGBTs |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
JESD-609 Code | e0 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Terminal Form | NO LEAD |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 10A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | Die |
Transistor Element Material | SILICON |
Part Status | Last Time Buy |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Terminal Position | UPPER |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | O-XUUC-N |
Number of Elements | 1 |
Input Type | Standard |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 6V |
IRG4CC50WB Ducumenti
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Datasheets
Altri includenu "IRG4C" parti
I seguenti parti includenu 'IRG4C'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
IRG4CC30FB | Infineon Technologies | Single IGBTs | |
IRG4CC30UB | Infineon Technologies | Single IGBTs | |
IRG4CC40FB | Infineon Technologies | Single IGBTs | |
IRG4CC40KB | Infineon Technologies | Single IGBTs | |
IRG4CC40UB | Infineon Technologies | Single IGBTs | |
IRG4CC50UB | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistors - IGBTs - Single | 2553 |
IRG4CC50UB | Infineon Technologies | Single IGBTs | |
IRG4CC50WC | Infineon Technologies | Single IGBTs | |
IRG4CC80SB | Infineon Technologies | Single IGBTs | |
IRG4CC80UD | Infineon Technologies | Single IGBTs |
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