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BFG 19S E6327 Specificazioni tecniche

TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 5.5GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 210mA
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 1W
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Noise Figure (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gain 14dB ~ 8.5dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 70mA, 8V
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I seguenti parti includenu  'BFG 1' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
BFG 193 E6433 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistors - Bipolar (BJT) - RF 2653
BFG 193 E6433 Infineon Technologies RF BJT Transistors
BFG 196 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistors - Bipolar (BJT) - RF 2668
BFG 196 E6327 Infineon Technologies RF BJT Transistors
BFG 19S E6327 Infineon Technologies RF BJT Transistors

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