IPB049NE7N3 G Specificazioni tecniche

IPB049NE7N3 G Infineon Technologies

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 91µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO263-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9 mOhm @ 80A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4750pF @ 37.5V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
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IPB049NE7N3 G Ducumenti

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Altri includenu   "IPB04"   parti

I seguenti parti includenu  'IPB04' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
IPB041N04N G Infineo Specialized Hot ICs 23800
IPB041N04NG VB Specialized Hot ICs 18500
IPB041N04NGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2623
IPB042N03L G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistors - FETs, MOSFETs - Single 17333
IPB042N03LG I Specialized Hot ICs 1234
IPB042N03LG MOS VBSEMI Specialized Hot ICs 5395
IPB042N03LGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2786
IPB042N03LGATMA1 Infineon Technologies Single MOSFETs Transistors
IPB042N10N3 G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistors - FETs, MOSFETs - Single 26423
IPB042N10N3 G IC International Rectifier (Infineon Technologies) Specialized Hot ICs 26460

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