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IPDH4N03LAG Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 40µA
Supplier Device Package PG-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 60A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3200pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 94W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
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IPDH4N03LAG Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per IPDH4N03LAG

Altri includenu   "IPDH4"   parti

I seguenti parti includenu  'IPDH4' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
IPDH4N03LA INFINEO Specialized Hot ICs 472
IPDH4N03LA-G VB Specialized Hot ICs 5000
IPDH4N03LAG Infineon Technologies Single MOSFETs Transistors
IPDH4N03LAG MOS VBSEMI Specialized Hot ICs 10558

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