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IPF04N03LA G Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 30µA
Supplier Device Package P-TO252-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5199pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 115W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
IPF04N03LA International Rectifier (Infineon Technologies) Transistors - FETs, MOSFETs - Single 1203
IPF04N03LBG I Specialized Hot ICs 10000

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