IRFSL4227PBF Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 200V 62A TO-262

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-262
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 46A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4600pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HEXFET®
Power Dissipation (Max) 330W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 62A (Tc)
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IRFSL4227PBF Ducumenti

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Altri includenu   "IRFSL"   parti

I seguenti parti includenu  'IRFSL' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
IRFSL11N50A Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 3362
IRFSL11N50A Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 11673
IRFSL11N50APBF Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2564
IRFSL11N50APBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2743
IRFSL17N20D International Rectifier (Infineon Technologies) Transistors - FETs, MOSFETs - Single 495
IRFSL17N20DPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2691
IRFSL23N15D International Rectifier (Infineon Technologies) Transistors - FETs, MOSFETs - Single 1254
IRFSL23N15DPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2782
IRFSL23N20D International Rectifier (Infineon Technologies) Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2745
IRFSL23N20D102P International Rectifier (Infineon Technologies) Transistors - FETs, MOSFETs - Single 3483

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